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原子層沉積（ALD）工藝用臭氧發(fā)生器推薦
來源：m.tjgyshunfa.cn 發(fā)布時間：2025-05-08 16:54:39 瀏覽次數(shù)：

原子層沉積（ALD）工藝用臭氧發(fā)生器推薦


在原子層沉積（ALD）工藝中，臭氧作為關(guān)鍵工藝氣體，直接影響薄膜沉積的質(zhì)量與效率。如何選擇高性能臭氧發(fā)生器？北京同林科技為您解析三款產(chǎn)品?！?/p>

第一款是Apex H32高濃度臭氧發(fā)生器，臭氧濃度可超200毫克每升，觸屏操作，智能控溫耐高壓，非常適合ALD企業(yè)、半導體行業(yè)、高濃度臭氧需求的科研實驗使用。

第二款是，Micro 16，緊湊型臭氧發(fā)生器，臭氧濃度超過150毫克每升，模塊化結(jié)構(gòu)體積小，靜音設計，觸屏操作，智能控溫，風冷，非常適合ALD設備制造商配套、納米材料合成實驗室、光伏/顯示面板中試線等行業(yè)使用。價格相對來說比較適中。

第三款是，3S-T10經(jīng)濟型科研臭氧發(fā)生器，這款臭氧化發(fā)生器的濃度可達140毫克每升、風冷、濃度可調(diào)，可連續(xù)長時間工作，非常適合科研使用，高校材料科學課題組、薄膜器件工藝開發(fā)使用，性價比高。


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